单项选择题
对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
A.1/niB.1/△pC.1/p0D.1/n0
单项选择题 若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）
单项选择题 对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
单项选择题 根据费米分布函数，电子占据（EF+2K0T）能级的几率（）
