单项选择题
根据费米分布函数，电子占据（EF+2K0T）能级的几率（）
A.大于空穴占据EF的几率B.等于空穴占据（EF-2K0T）能级的几率C.等于空穴占据（EF+2K0T）能级的几率D.大于电子占据EF的几率
单项选择题 T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
多项选择题 对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
多项选择题 下面（）过程属于间接复合的微观过程。
