单项选择题
对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
A.GeB.SiC.SiCD.GaAs
单项选择题 根据费米分布函数，电子占据（EF+2K0T）能级的几率（）
单项选择题 T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
多项选择题 对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
