单项选择题
对于由P型半导体构成的理想的MIS结构,当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时,表明此时表面为()状态。
A.多子积累B.平带C.弱反型D.强反型
单项选择题 设几种半导体的本征性质相同,在μn>μp的情况下,则()半导体电导率将取得最小值。
单项选择题 对于硅锗半导体,若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm,则其电子迁移率将()。
单项选择题 空穴的扩散电流的方向,与()相反。