单项选择题 金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。

单项选择题 若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。

单项选择题 对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。