单项选择题 若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。

单项选择题 对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。

单项选择题 ‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。