单项选择题
对于硅锗半导体,若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm,则其电子迁移率将()。
A.增大B.不变C.减小D.无法判断
单项选择题 空穴的扩散电流的方向,与()相反。
单项选择题 金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构,当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时,则表面势Vs为()。
单项选择题 若不考虑镜像力和隧道效应,则金属半导体接触的势垒高度将(),反向电流将()。