单项选择题
以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通？（）
A.增加栅氧化层厚度B.增加沟道宽度C.减小沟道长度D.增加衬底掺杂浓度
单项选择题 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）
单项选择题 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）
单项选择题 ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
