填空题 引晶下种时，由于籽晶和熔硅温差大，（）对籽晶造成强烈的热冲击，产生大量位错，通过缩颈，使晶体在生长中将位错“缩掉”，成为无位错单晶。

填空题 籽晶定向有三种方法，（），（）和（）。

填空题 拉制的硅单晶沿[111]晶向生长的有（）的棱线，沿[100]晶向生长有（）均匀分布的棱线。