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直拉单晶硅工艺学

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填空题

引晶下种时,由于籽晶和熔硅温差大,()对籽晶造成强烈的热冲击,产生大量位错,通过缩颈,使晶体在生长中将位错“缩掉”,成为无位错单晶。

【参考答案】

高温的熔硅

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填空题 籽晶定向有三种方法,(),()和()。

填空题 拉制的硅单晶沿[111]晶向生长的有()的棱线,沿[100]晶向生长有()均匀分布的棱线。

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