判断题
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
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单项选择题 通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）
多项选择题 在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）
判断题 如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
