单项选择题 利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）

单项选择题 解决铝尖刺的方法有（）

单项选择题 （）是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程。