单项选择题
利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）
A.电阻加热蒸发B.电子束蒸发C.溅射D.电镀
单项选择题 解决铝尖刺的方法有（）
单项选择题 （）是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程。
单项选择题 通常被用于深紫外光刻胶的准分子激光器的光源材料是（）
