问答题
把一个PN结硅二极管作变容二极管用,结两侧掺杂浓度分别为NA=1019cm-3、ND=1015cm-3、二极管面积0.01cm2。 (1)求在VR=IV及5V时二极管的电容; (2)计算用此变容二极管及L=2mH的储能电流的共振频率。
问答题 硅扩散PN结,结面积为10-5cm2,结深为3μm,衬底浓度为N0=1015cm-3,外加电压V=-10V,通过计算比较,势垒电容取哪种更为合理?若结深为,其余参数不变,做那种近似合理?
问答题 理想硅PN结,ND=1016cm-3,在IV正偏压下,求N型中性区内存储的少数载流子总量。
问答题 试计算温度从300K增加至400K时,硅PN结反向电流增大多少倍?如果25℃时某锗PN结反向电流为10μA,当温度上升到45℃时反向电流有多大?