单项选择题
在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）
A.外延B.热氧化C.PVDD.CVD
单项选择题 干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）
单项选择题 薄膜对应的英文是（）
单项选择题 Ti、Ta、Al、Cu、Pt对应的物质分别是（）
