单项选择题
为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法（）
A.射频溅射B.LPCVDC.电阻蒸镀D.PECVD
单项选择题 poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的（）
单项选择题 LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
单项选择题 在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）
