单项选择题 LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）

单项选择题 在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）

判断题 离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。