单项选择题
不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是（）
A.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，△Ev 对n 区空穴向p 区运动也起势垒作用。B.△Ec 对n区电子向p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对p 区空穴向n 区运动没有明显的影响。C.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对n 区空穴向p 区运动没有明显的影响。D.△Ec 对p区电子向n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对n 区空穴向p 区运动起势垒作用。
单项选择题 异质结的超注入现象是指（）
多项选择题 Si-SiO2系统的绝缘层中的主要带电形式有（）
多项选择题 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
