多项选择题
Si-SiO2系统的绝缘层中的主要带电形式有（）
A.可动离子B.界面态C.电离陷阱电荷D.固定电荷
多项选择题 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
多项选择题 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
单项选择题 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
