多项选择题
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触D.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
单项选择题 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
单项选择题 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
单项选择题 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
