单项选择题
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
A.平坦能带状态B.深耗尽状态C.少子反型状态D.本征状态
单项选择题 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
单项选择题 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
单项选择题 金属和半导体接触的整流特性可用于（）
