多项选择题
对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
A.金属和半导体之间存在功函数差B.绝缘层中存在电荷C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态D.外加偏压
多项选择题 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
单项选择题 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
单项选择题 对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
