单项选择题
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
A.大，场助扩散B.大，横向扩散C.小，横向扩散D.大，氧化增强
判断题 制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
单项选择题 通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）
多项选择题 在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）
