填空题
对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体,温度很低时,()散射起主要作用。
电离杂质
单项选择题 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构,当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时,表明此时表面为()状态。
单项选择题 设几种半导体的本征性质相同,在μn>μp的情况下,则()半导体电导率将取得最小值。
单项选择题 对于硅锗半导体,若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm,则其电子迁移率将()。