问答题
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFE......
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问答题 试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
问答题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
问答题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
