多项选择题 ‍理想MIS结构必须满足的条件有（）

单项选择题 ‏一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。

单项选择题 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。