单项选择题 ‌对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）

单项选择题 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）

单项选择题 若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）