判断题
PVD覆盖层的组织结构同CVD一样。
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判断题 PVD沉积温度一般低于600℃，但沉积速度快。
判断题 CVD沉积温度高，而且沉积后要进行淬、回火处理，使得工件的变形增大。
判断题 利用CVD法沉积TiN的最佳温度范围是900～1200℃。
