填空题
在p型硅片上通过()工艺形成n型区,在两区交接处形成一个p-n结。
扩散
填空题 当电池表面受到光照时,在电池内部产生的光生电子—空穴对扩散到p-n结并受结电场影响而分开,()移向n区,()移向p区,在p区和n区之间产生了光生电动势,当外电路连接起来时就有电流通过。
填空题 西门子法中通常用()还原(),生成多晶硅沉积在()上。
填空题 西门子法的工艺的制备温度需要在()℃左右。