填空题
已知在硅中的某位置，扩散作用可忽略，在电场作用下，电子漂移电流密度是空穴漂移电流密度的2倍，且假设电子迁移率是空穴迁移率的3倍，则在该位置的净载流子浓度为（）。（填“正”或“负”或“零”）
正
填空题 对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为（）。
填空题 一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰减至停止前的e-2倍，则该半导体材料的寿命为（）微秒。
填空题 对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。
