填空题 ‎一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰减至停止前的e-2倍，则该半导体材料的寿命为（）微秒。

填空题 对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。

单项选择题 ‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。