单项选择题
Dash工艺主要解决的是（）
A.热应力 B.减少缺陷（位错） C.加入转晶 D.放肩
单项选择题 占据晶格间隙位置的杂质原子为（）
单项选择题 CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）
单项选择题 在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）
