单项选择题 p型空间电荷区由（）构成。

单项选择题 空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

单项选择题 ‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。