单项选择题
空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。
A.电荷密度B.电流密度C.正电荷密度D.负电荷密度
单项选择题 某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。
单项选择题 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
单项选择题 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）
