单项选择题
关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）
A.湿氧比干氧慢得多B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的C.水汽氧化层比干氧氧化层致密D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率
多项选择题 CMOSIC通常采取那种隔离方法（）
多项选择题 可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）
多项选择题 下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）
