单项选择题
对于同型异质结的能带结构，以下描述正确的是（）
A.界面两边形成的都是积累层B.界面两边形成的都是反型层C.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层D.界面两边形成的都是耗尽层
单项选择题 不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是（）
单项选择题 异质结的超注入现象是指（）
多项选择题 Si-SiO2系统的绝缘层中的主要带电形式有（）
