单项选择题
已知一半导体异质结为p-n-A-B，说明（）
A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体B.A为p型窄禁带半导体，B为n型宽禁带半导体C.A为n型宽禁带半导体，B为p型窄禁带半导体D.A为n型窄禁带半导体，B为p型宽禁带半导体
单项选择题 考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）
单项选择题 室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
单项选择题 pn结雪崩击穿的的机理是（）
