多项选择题
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）
A.靶温升高，临界剂量上升B.注入离子越轻，临界剂量越小C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低D.注入离子能量越高，临界剂量越低
多项选择题 扩散系数在何时不可以看成是常数（）
单项选择题 扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
判断题 制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
