直拉法生产硅单晶工艺中，对减压拉晶工艺描述正确的是（）

A.高真空工艺单晶炉膛保持10^-3乇或更高的真空度
B.低真空工艺单晶炉膛内真空度保持10^-1～10^-2乇
C.在拉制硅单晶时一次充入单晶炉膛内0.2～0.4kg压强高纯氩气（表压），称为不流动气氛
D.拉制硅单晶时，连续不断地向单晶炉膛内充入高纯氩，保护炉膛内气体是正压（表压），同时又使部分氩气沿管道向外溢出，这种工艺称为流动气氛

A.制水周期长，树脂工作周期短，容易失效
B.树脂再生操作繁重，再生时消耗大量的酸和碱再生剂，再生废液对环境的污染严重
C.用离子交换法制取高纯水仅为科研采用
D.离子交换设备复杂，需要的离子交换树脂昂贵不实用

A.实际生产中，为了提高水的纯度，高纯水的制备包括用紫外线照射杀菌
B.用微孔滤膜（由聚苯乙烯或四氟乙烯等薄膜制成），以除去水中大于滤膜孔径（约0.5微米）的各种微粒
C.一级超纯水适用于生产大规模集成电路，微波器件和具有相同要求的半导体器件产品的清洗剂
D.二级超纯水适用于单晶硅生产原材料的清洗剂