单晶生产过程中，对偏心拉晶方法描述正确的是（）

A.连续向单晶炉膛充入等量的高纯氩气，同时真空泵不断地从炉膛内向外抽气
B.保持炉膛内稳定在10乇～20乇真空内
C.易于成晶，炉膛干净，单晶参数易于控制，生产比较稳定
D.缺点是消耗大量的高纯氩气，生产成本相对提高

A.高真空工艺单晶炉膛保持10^-3乇或更高的真空度
B.低真空工艺单晶炉膛内真空度保持10^-1～10^-2乇
C.在拉制硅单晶时一次充入单晶炉膛内0.2～0.4kg压强高纯氩气（表压），称为不流动气氛
D.拉制硅单晶时，连续不断地向单晶炉膛内充入高纯氩，保护炉膛内气体是正压（表压），同时又使部分氩气沿管道向外溢出，这种工艺称为流动气氛

A.制水周期长，树脂工作周期短，容易失效
B.树脂再生操作繁重，再生时消耗大量的酸和碱再生剂，再生废液对环境的污染严重
C.用离子交换法制取高纯水仅为科研采用
D.离子交换设备复杂，需要的离子交换树脂昂贵不实用