多项选择题
如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是（）
A.对于n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
B.对于p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
C.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系
D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
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单项选择题
当界面态密度很大，且为受主态时，pn、np异质结的能带结构分别为（）
A.A
B.B
C.C
D.D -
单项选择题
对于同型异质结的能带结构，以下描述正确的是（）
A.界面两边形成的都是积累层
B.界面两边形成的都是反型层
C.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层
D.界面两边形成的都是耗尽层 -
单项选择题
不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是（）
A.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，△Ev 对n 区空穴向p 区运动也起势垒作用。
B.△Ec 对n区电子向p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对p 区空穴向n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对n 区空穴向p 区运动没有明显的影响。
D.△Ec 对p区电子向n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对n 区空穴向p 区运动起势垒作用。
