当界面态密度很大，且为受主态时，pn、np异质结的能带结构分别为（）

A.界面两边形成的都是积累层
B.界面两边形成的都是反型层
C.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层
D.界面两边形成的都是耗尽层

A.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，△Ev 对n 区空穴向p 区运动也起势垒作用。
B.△Ec 对n区电子向p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对p 区空穴向n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对n 区空穴向p 区运动没有明显的影响。
D.△Ec 对p区电子向n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对n 区空穴向p 区运动起势垒作用。

A.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
B.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
C.在异质pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
D.在异质pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。