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多项选择题

温度梯度的大小很大程度上决定因素有哪些()

    A.加热器、坩埚、保温罩、托碗的形状
    B.加热器、坩埚、保温罩、托碗之间的相对位置
    C.加热器、坩埚、保温罩、托碗的尺寸
    D.加热器、坩埚、保温罩、托碗的材质

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  • 多项选择题
    合适的热场条件描述正确的是()

    A.生长高质量单晶,一个很重要的条件就是有一个合适的热场
    B.生长系统中的温度分布(等温面的状况)对单晶的质量有决定性的影响,然而不同参数的单晶,对热场的要求也不同
    C.掺杂量小的单晶需要较大的温度梯度(特别是界面附近),而掺杂量较大的单晶采用比较小的温度梯度
    D.较好的热场,并没有严格的界限

  • 多项选择题
    单晶硅生长时,结晶界面处的径向温度梯度描述正确的是()

    A.单晶硅最初等直径生长时,生长界面凸向熔体,说明生长界面的径向温度梯度是正数
    B.单晶硅最初等直径生长时,生长界面凹向熔体,说明生长界面的径向温度梯度是正数
    C.硅晶体生长界面由平变凸,这说明结晶界面处的径向温度梯度由等于零变为负值,而且负值越来越小
    D.硅晶体生长界面由平变凹,这说明结晶界面处的径向温度梯度由等于零变为负值,而且负值越来越小

  • 多项选择题
    单晶硅生长时,熔体中的纵向温度梯度过小时导致的结果描述错误的是()

    A.导致晶体散热快,熔体表面一部分热量也散掉,结晶界面温度会降低
    B.熔体温度波动时可能生成新晶核,凝结在单晶硅界面使单晶硅发生晶变,晶体生长不稳定
    C.会导致结晶界面温度降低,表面过冷度增大,可能产生新的不规则的晶核,使晶体变成多晶
    D.导致熔体表面过冷度增大,单晶可能产生大量结构缺陷

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