多项选择题
合适的热场条件描述正确的是（）
A.生长高质量单晶，一个很重要的条件就是有一个合适的热场
B.生长系统中的温度分布（等温面的状况）对单晶的质量有决定性的影响，然而不同参数的单晶，对热场的要求也不同
C.掺杂量小的单晶需要较大的温度梯度（特别是界面附近），而掺杂量较大的单晶采用比较小的温度梯度
D.较好的热场，并没有严格的界限
相关考题
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多项选择题
单晶硅生长时，结晶界面处的径向温度梯度描述正确的是（）
A.单晶硅最初等直径生长时，生长界面凸向熔体，说明生长界面的径向温度梯度是正数
B.单晶硅最初等直径生长时，生长界面凹向熔体，说明生长界面的径向温度梯度是正数
C.硅晶体生长界面由平变凸，这说明结晶界面处的径向温度梯度由等于零变为负值，而且负值越来越小
D.硅晶体生长界面由平变凹，这说明结晶界面处的径向温度梯度由等于零变为负值，而且负值越来越小 -
多项选择题
单晶硅生长时，熔体中的纵向温度梯度过小时导致的结果描述错误的是（）
A.导致晶体散热快，熔体表面一部分热量也散掉，结晶界面温度会降低
B.熔体温度波动时可能生成新晶核，凝结在单晶硅界面使单晶硅发生晶变，晶体生长不稳定
C.会导致结晶界面温度降低，表面过冷度增大，可能产生新的不规则的晶核，使晶体变成多晶
D.导致熔体表面过冷度增大，单晶可能产生大量结构缺陷 -
多项选择题
单晶硅生长时，熔体中的纵向温度梯度描述正确的是（）
A.温度梯度较大时，离开液面越远温度越高。即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使晶体局部生长较快，生长界面较平坦的，晶体生长是稳定的
B.温度梯度较大时，结晶界面以下熔体温度与结晶温度相差较少。熔体温度波动时可能生成新晶核，凝结在单晶硅界面使单晶硅发生晶变。晶体生长不稳定
C.温度梯度较小时，结晶界面以下熔体温度与结晶温度相差较少。熔体温度波动时可能生成新晶核，凝结在单晶硅界面使单晶硅发生晶变。晶体生长不稳定
D.温度梯度较小时，离开液面越远温度越高。即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使晶体局部生长较快，生长界面较平坦的，晶体生长是稳定的
