欢迎来到易学考试网
易学考试官网
登录
注册
首页
卫生资格(中初级)
医学高级职称
执业医师考试
执业药师考试
医院三基考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
集成电路技术
>
集成电路工艺原理
搜题找答案
填空题
制备SiO
2
的方法有()、()、()、()、()等。
【参考答案】
溅射法;真空蒸发法;阳极氧化法;热氧化法;热分解淀积法
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
在SiO2内和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等电荷。
填空题
硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对()、()、砷(As)、锑(Sb)等元素具有()作用。
填空题
热氧化制备SiO2的方法可分为四种,包括()、()、()、()。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题