单项选择题
关于改变单晶体散热的描述正确的是（）
A.单晶散热加快是提高熔体纵向温度梯度的有效办法。
B.单晶散热加快是提高熔体径向温度梯度的有效办法。
C.单晶散热加快是提高晶体纵向温度梯度的有效办法。
D.单晶散热加快是提高结晶界面径向温度梯度的有效办法。
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单项选择题
特殊情况下，熔体中的纵向温度梯度是负值，关于这种情况描述正确的是（）
A.这种情况在实际拉晶过程中不可能发生
B.熔体内部温度低于结晶温度，单晶硅会长入熔体，无法得到单晶
C.可以正常拉晶，但是会影响结晶速度，导致生产效率低下
D.一般这种情况是由于热场结构设计导致的 -
单项选择题
单晶硅生长时，晶体中的纵向温度梯度过小时会导致什么结果（）
A.晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响
B.由于晶体散热快，熔体表面一部分热量也散掉，结晶界面温度会降低。
C.会导致结晶界面温度降低，表面过冷度增大，可能产生新的不规则的晶核，使晶体变成多晶
D.导致熔体表面过冷度增大，单晶可能产生大量结构缺陷 -
单项选择题
动态热场是由下列哪一项决定的（）
A.加热器
B.保温系统
C.结晶潜热
D.坩埚位置
