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单项选择题

下列哪项可以增大熔体径向温度梯度()

    A.增大熔体中心部分和周围温差
    B.向单晶炉内充氩气,改变单晶炉内气体流动路线
    C.适当地提高坩埚的位置
    D.提高液面位置(多装料)

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  • 单项选择题
    关于改变单晶体散热的描述正确的是()

    A.单晶散热加快是提高熔体纵向温度梯度的有效办法。
    B.单晶散热加快是提高熔体径向温度梯度的有效办法。
    C.单晶散热加快是提高晶体纵向温度梯度的有效办法。
    D.单晶散热加快是提高结晶界面径向温度梯度的有效办法。

  • 单项选择题
    特殊情况下,熔体中的纵向温度梯度是负值,关于这种情况描述正确的是()

    A.这种情况在实际拉晶过程中不可能发生
    B.熔体内部温度低于结晶温度,单晶硅会长入熔体,无法得到单晶
    C.可以正常拉晶,但是会影响结晶速度,导致生产效率低下
    D.一般这种情况是由于热场结构设计导致的

  • 单项选择题
    单晶硅生长时,晶体中的纵向温度梯度过小时会导致什么结果()

    A.晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉,单晶硅温度会增高,结晶界面温度随着增高,熔体表面的过冷度减小,单晶硅的正常生长就会受到影响
    B.由于晶体散热快,熔体表面一部分热量也散掉,结晶界面温度会降低。
    C.会导致结晶界面温度降低,表面过冷度增大,可能产生新的不规则的晶核,使晶体变成多晶
    D.导致熔体表面过冷度增大,单晶可能产生大量结构缺陷

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