单项选择题
硅单晶生长方向和热场关系正确的是（）
A.拉<100>晶向单晶的热场和拉<111>晶向单晶的热场通用，可以切换
B.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶，一般很难拉成单晶
C.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶，更容易成单晶，但是缺陷较多
D.用拉<111>晶向单晶的热场来拉<100>晶向单晶，更容易成晶，且质量更好
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
下列哪项可以增大熔体径向温度梯度（）
A.增大熔体中心部分和周围温差
B.向单晶炉内充氩气，改变单晶炉内气体流动路线
C.适当地提高坩埚的位置
D.提高液面位置（多装料） -
单项选择题
关于改变单晶体散热的描述正确的是（）
A.单晶散热加快是提高熔体纵向温度梯度的有效办法。
B.单晶散热加快是提高熔体径向温度梯度的有效办法。
C.单晶散热加快是提高晶体纵向温度梯度的有效办法。
D.单晶散热加快是提高结晶界面径向温度梯度的有效办法。 -
单项选择题
特殊情况下，熔体中的纵向温度梯度是负值，关于这种情况描述正确的是（）
A.这种情况在实际拉晶过程中不可能发生
B.熔体内部温度低于结晶温度，单晶硅会长入熔体，无法得到单晶
C.可以正常拉晶，但是会影响结晶速度，导致生产效率低下
D.一般这种情况是由于热场结构设计导致的
