单项选择题
直拉法生长单晶硅的热场，各晶向的晶体沿晶向生长所需要的纵向温度梯度，说法正确的是（）
A.[111]< [110]< [100]
B.[111]>[110]>[100]
C.[111]=[110]=[100]
D.三者无大小关系
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单项选择题
硅单晶生长方向和热场关系正确的是（）
A.拉<100>晶向单晶的热场和拉<111>晶向单晶的热场通用，可以切换
B.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶，一般很难拉成单晶
C.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶，更容易成单晶，但是缺陷较多
D.用拉<111>晶向单晶的热场来拉<100>晶向单晶，更容易成晶，且质量更好 -
单项选择题
下列哪项可以增大熔体径向温度梯度（）
A.增大熔体中心部分和周围温差
B.向单晶炉内充氩气，改变单晶炉内气体流动路线
C.适当地提高坩埚的位置
D.提高液面位置（多装料） -
单项选择题
关于改变单晶体散热的描述正确的是（）
A.单晶散热加快是提高熔体纵向温度梯度的有效办法。
B.单晶散热加快是提高熔体径向温度梯度的有效办法。
C.单晶散热加快是提高晶体纵向温度梯度的有效办法。
D.单晶散热加快是提高结晶界面径向温度梯度的有效办法。
