单项选择题
关于工业硅的制备过程说法正确的是（）
A.工业硅含杂质多，如果要生产较高质量的硅单晶，必须进一步提纯，制得高纯多晶，才能满足生长较高质量硅单晶
B.对于拉制品质要求不高的单晶可以用工业硅进行生产，降低拉晶成本
C.工业硅提纯工艺中，由于硅烷热分解法具有易于提纯，反应速度快等原因，所以我国工业上制取多晶硅多采用此法
D.工业硅中含的主要杂质有：铁、铝、钙、镁、铜、钛、锡、锌、磷、镍、硼、碳等元素，大多都是以单质和硅化物的形式存在
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单项选择题
直拉法生长单晶硅的热场，各晶向的晶体沿晶向生长所需要的纵向温度梯度，说法正确的是（）
A.[111]< [110]< [100]
B.[111]>[110]>[100]
C.[111]=[110]=[100]
D.三者无大小关系 -
单项选择题
硅单晶生长方向和热场关系正确的是（）
A.拉<100>晶向单晶的热场和拉<111>晶向单晶的热场通用，可以切换
B.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶，一般很难拉成单晶
C.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶，更容易成单晶，但是缺陷较多
D.用拉<111>晶向单晶的热场来拉<100>晶向单晶，更容易成晶，且质量更好 -
单项选择题
下列哪项可以增大熔体径向温度梯度（）
A.增大熔体中心部分和周围温差
B.向单晶炉内充氩气，改变单晶炉内气体流动路线
C.适当地提高坩埚的位置
D.提高液面位置（多装料）
